(1) Untuk penggunaan MOSFET yang selamat, reka bentuk litar tidak boleh melebihi had parameter seperti pelesapan kuasa, voltan sumber-maksimum, voltan sumber-pintu maksimum dan arus maksimum.
(2) Apabila menggunakan MOSFET dari semua jenis, mereka mesti berat sebelah ketat ke dalam litar mengikut kekutuban yang diperlukan. Contohnya, simpang-sumber-parit bagi medan simpang-transistor kesan (JFET) ialah simpang PN; saluran N-JFET tidak boleh mempunyai bias positif dikenakan pada getnya dan saluran P-JFET tidak boleh mempunyai bias negatif dikenakan pada getnya, dsb.
(3) Disebabkan galangan inputnya yang sangat tinggi, MOSFET MOS mesti mempunyai litar-petunjuknya semasa pengangkutan dan penyimpanan, dan mesti dibungkus dengan perisai logam untuk mengelakkan potensi teraruh luaran daripada memecah pintu. Adalah penting untuk diperhatikan bahawa MOSFET MOS tidak boleh diletakkan di dalam kotak plastik; mereka sebaiknya disimpan dalam kotak logam, dan penjagaan mesti diambil untuk mengelakkan kerosakan lembapan.
(4) Untuk mengelakkan kerosakan pintu MOSFET, semua instrumen ujian, meja kerja, seterika pematerian, dan litar itu sendiri mesti dibumikan dengan betul. Apabila memateri pin, pateri sumbernya terlebih dahulu. Sebelum menyambung ke litar, semua petunjuk MOSFET harus dipintas antara satu sama lain, dan bahan pintasan harus dikeluarkan hanya selepas pematerian. Apabila mengeluarkan MOSFET daripada rak komponen, pastikan pembumian yang betul bagi pengguna, seperti dengan menggunakan gelang pembumian. Sudah tentu, jika seterika pematerian gas-yang dipanaskan boleh digunakan, pematerian MOSFET adalah lebih mudah dan selamat. Jangan sekali-kali memasukkan atau mengeluarkan MOSFET daripada litar semasa kuasa dihidupkan. Langkah-langkah keselamatan ini mesti dipatuhi apabila menggunakan MOSFET.
(5) Apabila memasang MOSFET, elakkan meletakkannya berdekatan-komponen penjanaan haba. Untuk mengelakkan getaran, perumah MOSFET adalah perlu. Apabila membengkokkan petunjuk, bengkokkan sekurang-kurangnya 5 mm melebihi dimensi akar untuk mengelakkan pecah dan kebocoran udara.
(6) Sinki haba yang sesuai mesti digunakan apabila menggunakan transistor VMOS. Sebagai contoh, VNF306 memerlukan penyejuk haba 140×140×4 (mm) untuk mencapai kuasa maksimum 30W.
(7) Apabila berbilang transistor disambungkan secara selari, kemuatan elektrod antara-dan kemuatan teragih meningkat dengan sewajarnya, memburukkan ciri frekuensi tinggi-penguat dan mudah menyebabkan ayunan parasit frekuensi tinggi-melalui maklum balas. Oleh itu, bilangan transistor komposit selari secara amnya tidak boleh melebihi empat, dan perintang ayunan anti-parasit hendaklah disambungkan secara bersiri pada tapak atau get setiap transistor.
(8) Voltan-pintu sumber medan simpang-transistor kesan (JFET) tidak boleh diterbalikkan dan boleh disimpan dalam keadaan litar-terbuka. Walau bagaimanapun, untuk transistor kesan -medan get-tertebat (IGFET), disebabkan rintangan masukannya yang sangat tinggi, semua elektrod mestilah berlitar pintas-apabila tidak digunakan untuk mengelakkan kerosakan daripada medan elektrik luaran.
(9) Semasa pematerian, selongsong besi pematerian mesti dilengkapi dengan wayar pembumian luaran untuk mengelakkan kerosakan pada transistor akibat besi pematerian dicas. Untuk pematerian-volume kecil, seterika pematerian boleh dipanaskan dan kemudian dicabut palam atau bekalan kuasa diputuskan sebelum pematerian. Terutamanya apabila memateri-medan pintu masuk-transistor kesan (FET), pematerian hendaklah dilakukan mengikut urutan-parit-sumber dan kuasa hendaklah dimatikan semasa pematerian.
(10) Apabila memateri dengan besi pematerian 25W, prosesnya hendaklah cepat. Jika menggunakan besi pematerian 45-75W, pinset hendaklah digunakan untuk memegang pangkal pin untuk membantu pelesapan haba. Transistor kesan medan simpang-(JFET) boleh disemak secara kualitatif menggunakan multimeter (menyemak rintangan hadapan dan belakang setiap simpang PN dan rintangan antara longkang dan punca). Walau bagaimanapun, FET-bertebat tidak boleh disemak dengan multimeter; instrumen ujian diperlukan, dan litar pintas pada setiap elektrod hanya perlu dikeluarkan selepas disambungkan kepada instrumen ujian. Apabila menanggalkan FET, ia harus dilitar pintas dahulu, dan kuncinya adalah untuk mengelak meninggalkan pintu terapung.
Apabila digunakan dalam aplikasi yang memerlukan galangan input tinggi, langkah kalis-lembapan mesti diambil untuk mengelakkan rintangan input FET daripada berkurangan akibat kesan suhu. Jika menggunakan FET empat-plumbum, plumbum substratnya hendaklah dibumikan. Transistor biji bijan berbungkus seramik-mempunyai ciri fotosensitif dan harus digunakan jauh dari cahaya.
Untuk FET kuasa, pelesapan haba yang baik adalah penting. Oleh kerana MOSFET kuasa beroperasi dalam keadaan beban tinggi, sink haba yang mencukupi mesti direka bentuk untuk memastikan suhu selongsong tidak melebihi nilai undian, membolehkan peranti beroperasi dengan stabil dan boleh dipercayai dalam tempoh yang lama.
Pendek kata, terdapat banyak perkara yang perlu dipertimbangkan dan pelbagai langkah keselamatan yang perlu diambil untuk memastikan penggunaan MOSFET yang selamat. Juruteknik profesional, dan terutamanya peminat elektronik, semua harus mempertimbangkan keadaan khusus mereka dan menggunakan kaedah praktikal untuk menggunakan MOSFET dengan selamat dan berkesan.
